Основным преимуществом эпитаксиальных пластин кремния по сравнению с пластинами монокристаллического кремния является наличие p-n перехода между приборным слоем и основной частью подложки.
Это позволяет уменьшить токи утечки, паразитные явления между соседними элементами, а значит снизить электрическую мощность, потребляемую конечными изделиями.
| Диаметр | 200±0,2 мм |
| Тип проводимости | N-тип |
| Удельное электрическое сопротивление приборного слоя | 0,001 – 12000 |
| Кристаллографическая ориентация | <110>; <111> |
| Легирующая примесь | Фосфор |
| Толщина эпитаксиальных пластин кремния | 725 мкм |
