Монокристаллический кремний – основа для производства полупроводниковых приборов. От чистоты и бездефектности данного материала зависят качество последующих операций и функциональные возможности конечного изделия.
Современные производители переходят на пластины диаметрами 200, 300 или 400 мм, что позволяет существенно снизить себестоимость производства микросхем. Наша компания предлагает кремниевые монокристаллические пластины высокого качества, выращенного по методу Чохральского или методом зонной плавки, диаметрами от 25 до 200 мм, изготовленных по стандартам SEMI.
| Метод выращивания кристалла | Cz |
| Диаметр | 150 мм – 200 мм |
| Тип проводимости | Р-тип, N-тип |
| Удельное электрическое сопротивление приборного слоя | 0,01-22 Ом*см; |
| Кристаллографическая ориентация | <110>; <111> |
| Легирующая примесь | Бор; Фосфор |
| Толщина пластины | 300 мкм – 725 мкм |
| Шероховатость поверхности | ≤ 0,5 нм |
