В качестве диэлектрика может выступать диоксид кремния SiO2 или, гораздо реже, сапфир (в этом случае технология называется «кремний на сапфире» или КНС). Дальнейшее производство полупроводниковых приборов с использованием полученной подложки по своей сути практически ничем не отличается от классической технологии, где в качестве подложки используется монолитная кремниевая пластина.
В первую очередь технология КНИ находит применение в цифровых интегральных схемах (в частности, в микропроцессорах), большая часть которых в настоящее время выполняется с использованием КМОП (комплементарной логики на МОП-транзисторах). При построении схемы по данной технологии большая часть потребляемой мощности затрачивается на заряд паразитной ёмкости изолирующего перехода в момент переключения транзистора из одного состояния в другое, а время, за которое происходит этот заряд, определяет общее быстродействие схемы.
Основное преимущество технологии КНИ состоит в том, что за счёт тонкости поверхностного слоя и изоляции транзистора от кремниевого основания удаётся многократно снизить паразитную ёмкость, а значит и снизить время её зарядки вкупе с потребляемой мощностью.
| Метод выращивания кристалла | Cz , Fz |
| Диаметр | 150 мм |
| Тип проводимости | Р-тип, N-тип |
| Удельное электрическое сопротивление приборного слоя | 13,5-22,5 Ом•см |
| Кристаллографическая ориентация | <110>; <111> |
| Легирующая примесь | Бор; Фосфор |
| Толщина пластины | 205 мкм |
| Шероховатость поверхности | Зеркально-полированная |
