Кристаллы антимонида галлия представляют собой химическое соединение чистого галлия (Ga) и сурьмы (Sb).
Выращены методом Чохральского (LEC). Пластины антимонида галлия имеют высокую однородность электрических параметров с низкой плотностью дефектов, пригодных для молекулярно-лучевой эпитаксии либо МОС эпитаксиального роста.
| Метод выращивания | LEC |
| Диаметр | 50,5 – 1000 мм |
| Тип проводимости | N-тип, Р-тип |
| Кристаллографическая ориентация | <100>, <111> |
| Легирующая примесь | – |
| Толщина пластины | 500-1000 мкм |
