ИК «Вайз-Тех» поставляет пластины со следующими характеристиками:
Метод выращивания кристалла | LEC |
Диаметр | 50,5 – 76,2 мм; 1000 мм |
Тип проводимости | Р-тип |
Кристаллографическая ориентация | <100>, <111> |
Легирующая примесь | – |
Толщина пластины | 625-1000 мкм |
Пластины антимонида индия
Стоимость ₽ по запросу
Пластины на основе арсенида индия используются в полупроводниковых инфракрасных фоточувствительных датчиках, тепловизионных детекторах, созданных на основе фотодиодов, быстродействующих транзисторах, а также в датчиках Холла и термоэлектрических генераторах.
Related products
-
Изделия для кристального производства
Эпитаксиальные пластины кремния
Стоимость ₽ по запросу Read more
