ООО “ИК “Вайз-Тех” поставляет только высококачественные монокристаллические пластины арсенида галлия. Диаметр пластин арсенида галлия от 50 до 100 мм.
Два основных метода роста:
- Чохральского (LEC)
- и вертикальной направленной кристаллизации (VGF),
которые обеспечивают широкий выбор GaAs материалов.
| Метод выращивания кристалла | VGF, LEC |
| Диаметр | 50,8 – 101,6 мм |
| Тип проводимости | Ci , Te, C, Zn |
| Удельное электрическое сопротивление приборного слоя | 1,5-9 Ом•см |
| Кристаллографическая ориентация | <100>; <110> |
| Легирующая примесь | – |
| Толщина пластины | 220-450 мкм |
