По сравнению с пластинами кремния и арсенида галлия, пластины карбида кремния наиболее подходят для высокотемпературных устройств и сверхбыстрых высоковольтных устройств. Пластины поставляются диаметром от 50 мм обоих 4H либо 6H политипов.
ИК «Вайз-Тех» поставляет пластины кабрида кремния со следующими характеристиками:
| Метод выращивания кристалла | VGF |
| Диаметр | 50,8 – 76,2 мм |
| Тип проводимости | N-тип, Р-тип |
| Удельное электрическое сопротивление приборного слоя | 0,015 – 0,028 Ом•см |
| Кристаллографическая ориентация | <100>; <110>; <111> |
| Легирующая примесь | – |
| Толщина пластины | 250-430 мкм |
